O regime internacional sobre os aspectos da propriedade intelectual relacionados ao comércio da OMC: impactos na legislação brasileira sobre inovação tecnológica e desenvolvimento

Autores

  • Mayra Thais Silva Andrade Autor

DOI:

10.16928/2316-8080.v9n1p.349-380

Palavras-chave:

Acordo TRIPS Políticas públicas para a inovação Desenvolvimento Tecnologia

Resumo

O presente trabalho pretende investigar, de maneira pontual, o Acordo TRIPS da Organização Mundial do Comércio e quais seriam as suas principais repercussões na legislação brasileira, em especial sobre a política de inovação tecnológica. Objetiva-se verificar qual é o tipo de regulamentação que foi produzida a partir de duas visões que permearam as arenas multilaterais: de um lado as potências centrais, que reivindicavam normas rígidas de proteção às criações intelectuais contra a pirataria e, ao oposto, as potências intermediárias na busca por normas flexíveis que excluíssem setores considerados estratégicos para a exportação e buscando cooperação técnica, científica e de transferência de tecnologia. Para a metodologia será utilizado o procedimento exploratório, a partir da análise do Acordo TRIPS, das principais normas brasileiras sobre a propriedade intelectual e da Política de Desenvolvimento Produtivo do Brasil, além da bibliografia especializada em Direito Internacional Público e Relações Internacionais. Conclui-se que as práticas de TRIPS-plus foram um dos principais desdobramentos do referido acordo que prejudicaram ou postergaram o cumprimento dos objetivos de integração do sistema multilateral de comércio, e que no Brasil se destacam o manifesto pela reforma da legislação referente à propriedade intelectual e a criação da Política de Inovação.

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2015-06-01

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Artigos

Como Citar

SILVA ANDRADE, M. T. O regime internacional sobre os aspectos da propriedade intelectual relacionados ao comércio da OMC: impactos na legislação brasileira sobre inovação tecnológica e desenvolvimento. Revista de Propriedade Intelectual, Direito Contemporâneo e Constituição, v. 4, n. 2, p. 349–380, 1 jun.2015.